McChasy (Monte Carlo CHAnneling SYmulation) - oprogramowanie do ilościowej oceny defektów radiacyjnych na podstawie symulacji Monte Carlo zjawiska rozpraszania wstecz.

Formularz zgłoszeniowy: 

https://webmaster.ncbj.gov.pl/mcchasy-1-request-form

Twórcy:

• Dr Lech Nowicki - twórca i główny deweloper do roku 2017 (McChasy 1) i 2022 (McChasy 2)
• Dr Cyprian Mieszczyński - deweloper reakcji jądrowych w McChasy 1 i obecny deweloper McChasy 2
• Dr Przemysław Jóźwik - deweloper efektów dyslokacji i pętli dyslokacji w McChasy 1 i jego obecny deweloper

Kontakt: McChasy@ncbj.gov.pl

Najnowsze publikacje:

[1]          A. Caçador, P. Jóźwik, S. Magalhães, J.G. Marques, E. Wendler, K. Lorenz, Extracting defect profiles in ion-implanted GaN from ion channeling, Materials Science in Semiconductor Processing. 166 (2023) 107702. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107702.

[2]          P. Jóźwik, A. Caçador, K. Lorenz, R. Ratajczak, C. Mieszczyński, Monte Carlo simulations of ion channeling in the presence of dislocation loops: New development in the McChasy code, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 538 (2023) 198–204. https://doi.org/10.1016/j.nimb.2023.03.002.

[3]          C. Mieszczynski, L. Nowicki, K. Skrobas, P. Jozwik, J. Jagielski, Edge dislocations in Ni monocrystalline structure studied by McChasy 2.0 Monte Carlo code, J. Phys.: Conf. Ser. 2326 (2022) 012014. https://doi.org/10.1088/1742-6596/2326/1/012014.

[4]          L. Nowicki, J. Jagielski, C. Mieszczyński, K. Skrobas, P. Jóźwik, O. Dorosh, McChasy2: New Monte Carlo RBS/C simulation code designed for use with large crystalline structures, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 498 (2021) 9–14. https://doi.org/10.1016/j.nimb.2021.04.004.

[5]          P. Jozwik, L. Nowicki, R. Ratajczak, C. Mieszczynski, A. Stonert, A. Turos, K. Lorenz, E. Alves, Advanced Monte Carlo Simulations for Ion-Channeling Studies of Complex Defects in Crystals, in: E.V. Levchenko, Y.J. Dappe, G. Ori (Eds.), Theory and Simulation in Physics for Materials Applications: Cutting-Edge Techniques in Theoretical and Computational Materials Science, Springer International Publishing, Cham, 2020: pp. 133–160. https://doi.org/10.1007/978-3-030-37790-8_8.

[6]          P. Jozwik, L. Nowicki, R. Ratajczak, A. Stonert, C. Mieszczynski, A. Turos, K. Morawiec, K. Lorenz, E. Alves, Monte Carlo simulations of ion channeling in crystals containing dislocations and randomly displaced atoms, Journal of Applied Physics. 126 (2019) 195107. https://doi.org/10.1063/1.5111619.