![Zespół Działu Edukacji i Szkoleń NCBJ (Foto: Andrzej Bigos / NCBJ) Zespół Działu Edukacji i Szkoleń NCBJ (Foto: Andrzej Bigos / NCBJ)](/sites/default/files/2023-12/3648x1824.jpg)
Nagroda Główna Popularyzatora Nauki dla Działu Edukacji i Szkoleń
12-12-2023
Nagrodę Główną w 19. edycji konkursu Popularyzator Nauki otrzymał Zespół Działu Edukacji i Szkoleń NCBJ. Nagrodę przyznano "Za wieloletnie zasługi w popularyzowaniu wiedzy nt. promieniowania jonizującego, promieniotwórczości, energii jądrowej i naturalnej promieniotwórczości. Działania te mają dodatkowe znaczenie w kontekście realizacji programu transformacji energetycznej Polski".
![Defekty struktury krystalicznej półprzewodników stosowanych w przemyśle jądrowym i kosmicznym mogą wpływać na pracę urządzeń, które są z nich zbudowane. Magistrant Instituto Superior Técnico w Portugalii we współpracy z naukowcami NCBJ, badał defekty powstające w azotku galu bombardowanym argonem. Istotnym elementem badań było wykorzystanie programu McChasy rozwijanego w Świerku. Azotek galu (GaN) jest półprzewodnikiem, który pozwala tworzyć elektronikę działającą przy wysokim napięciu, w wysokiej temperaturze, a także w warunkach narażenia na różne formy promieniowania występującego np. w przestrzeni kosmicznej lub w reaktorach jądrowych. Aby wywoływać lub wzmacniać niektóre właściwości urządzeń opartych na GaN, często przeprowadza się implantację jonów. Pomimo swoich zalet, technika ta powoduje powstawanie defektów i naprężeń w materiale, co może utrudniać prawidłową pracę urządzenia i zmniejszać jego wydajność. Dokładny charakter tych defektów wciąż nie jest jednak do końca poznany. Efekty implantacji jo Defekty struktury krystalicznej półprzewodników stosowanych w przemyśle jądrowym i kosmicznym mogą wpływać na pracę urządzeń, które są z nich zbudowane. Magistrant Instituto Superior Técnico w Portugalii we współpracy z naukowcami NCBJ, badał defekty powstające w azotku galu bombardowanym argonem. Istotnym elementem badań było wykorzystanie programu McChasy rozwijanego w Świerku. Azotek galu (GaN) jest półprzewodnikiem, który pozwala tworzyć elektronikę działającą przy wysokim napięciu, w wysokiej temperat](/sites/default/files/2023-12/hex_channel_ext_2.png)
Program McChasy pomaga badać defekty w półprzewodnikach do zastosowań specjalnych
11-12-2023
Defekty struktury krystalicznej półprzewodników stosowanych w kosmosie i w przemyśle jądrowym mogą wpływać na pracę urządzeń, które są z nich zbudowane. Magistrant Instituto Superior Técnico w Portugalii we współpracy z naukowcami NCBJ, badał defekty powstające w azotku galu bombardowanym argonem. Istotnym elementem badań było wykorzystanie programu McChasy rozwijanego w Świerku.
![Big Science Big Science](/sites/default/files/2024-01/wielka_nauka_1200x627_20231204.jpg)
Big Science Partner & Industry Day
Instytut Fizyki Jądrowej w Krakowie
12 Jan, 2024 - 12 Jan, 2024
Serdecznie zapraszamy do udziału w spotkaniu Big Science Partner & Industry Day, które odbędzie się w piątek, 12 stycznia 2024r w godz. 09:00-17:00 w Instytucie Fizyki Jądrowej w Krakowie.
Stronicowanie
- « Pierwsza
- ‹ Poprzednia
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- …
- Następna ›
- Ostatnia »