Nazwa Projektu: Transformacje defektów w bombardowanym jonowo GaN. Rola wewnętrznego pola elektrycznego.

Akronim Projektu: DIGaN

Finansowanie Projektu: projekt międzynarodowy współfinansowany przez MEiN.

Informacje dodatkowe: projekt realizowany w ramach międzynarodowego programu Laboratory of Accelerators and Radiation Technologies (LATR), ULisboa accelerator system, na podstawie umowy zawartej z organizacją międzynarodową lub podmiotem zagranicznym: Laboratório de Aceleradores e Tecnologias de Radiação (LATR) o nr. LATR/2022/01.

Opis Projektu:

Projekt DIGaN zakłada nowatorskie podejście do analizy akumulacji uszkodzeń i transformacji w kryształach GaN narażonych na bombardowanie jonowe, ze szczególnym uwzględnieniem niekonwencjonalnych struktur N-polarnych. Badania zostaną przeprowadzone na wysokiej jakości wolnych od dyslokacji próbkach GaN wyhodowanych w Unipress/Ammono metodą amonotermiczną, o niskiej gęstości dyslokacji, dostępnych w orientacji Ga- i N-polarnej. Nagromadzenie uszkodzeń w kryształach GaN bombardowanych jonami Ar o energii 300 keV będzie badane przy użyciu połączonego podejścia eksperymentalnego i obliczeniowego (symulacyjnego). RBS/C będzie realizowany we współpracy międzynarodowej z instytutem LATR w Portugalii. Dane RBS/C będą analizowane przy użyciu symulacji MC w kodzie McChasy i wsparte symulacjami dynamiki molekularnej. Parametry geometryczne defektów liniowych zostaną wykorzystane jako źródło danych wejściowych w kodzie McChasy. Celem projektu jest określenie kinetyki narastania uszkodzeń w GaN w wyniku bombardowania jonami, która ujawni próg transformacji plastycznej, powyżej którego redukcja defektów strukturalnych jest prawie niemożliwa nawet przez wyżarzanie termiczne. Ponadto spektroskopia Ramana zostanie wykorzystana do oceny potencjalnych zmian fazowych w napromieniowanych materiałach.